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利用光谱响应研究太阳电池基区少数载流子扩散长度

发布时间:2019-08-05 19:11
【摘要】:针对已有的晶体硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度测量模型和测试方法中存在的不足,建立利用光谱响应研究硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度的模型,该模型考虑了n+pp+型晶体硅太阳电池背面高低结势垒的影响,对基区少数载流子扩散长度的测量模型进行修正。根据硅太阳电池在900~950 nm的长波光谱响应测试结果,并利用该修正模型得到少数载流子在基区的扩散长度。所得结果与PC1 D模拟结果进行比较,两者相近。
[Abstract]:In view of the shortcomings of the existing measurement models and methods for the diffusion length of minority carriers in the base region of silicon solar cells, a model is established to study the diffusion length of minority carriers in the base region of silicon solar cells by using spectral response. the model takes into account the influence of high and low junction barrier on the back of n pp crystal silicon solar cells, and modifies the measurement model of minority carrier diffusion length in the base region. According to the long wave spectral response of silicon solar cells at 900 脳 950 nm, the diffusion length of minority carriers in the base region is obtained by using the modified model. The results obtained are similar to those of PC1 D simulation.
【作者单位】: 云南师范大学太阳能研究所;教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室;云南省农村能源工程重点实验室;
【基金】:云南省科技计划项目(2010ZC077) 云南省教育厅科学研究课题(2012Z012)
【分类号】:TM914.4

【共引文献】

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